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结型场效应晶体管(jfet)

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  • 漏源极电压(vdss)

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  • 不同vds(vgs=0)时的电流-漏极(idss)

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图片原厂型号品牌描述库存参考价格封装/外壳fet类型电压-击穿(v(br)gss)漏源极电压(vdss)不同vds(vgs=0)时的电流-漏极(idss)
pmbf4393,215pmbf4393,215nxp
恩智浦
n沟道 vds=40v vgs=40v p=250mw
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to-236-3,sc-59,sot-23-3
n沟道
40v
40v
5ma@20v
mmbf4393lt1gmmbf4393lt1gon
安森美
n沟道 vds=30v vgs=30v p=225mw
数据手册

现货:0

¥0.3805

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to-236-3,sc-59,sot-23-3
n沟道
30v
30v
5ma@15v